Apie
Pagrindinė tyrimų sritis – nepusiausvirųjų krūvininkų dinamikos tyrimai puslaidininkiuose, jų nanodariniuose ir kitose kietojo būvio medžiagose.
Tyrimų metodai: rinkinys vienas kitą papildančių pažangių netiesinės optikos metodų, apimantis fotoliuminescencijos spektroskopiją su pikosekundine laikine ir submikrometrine erdvine skyra, sužadinimo-zondavimo spektroskopiją su femtosekundine laikine skyra ir šviesa indukuotų dinaminių difrakcinių gardelių metodą, įgalinantį sinchroniškai bekontakčiu būdu nustatyti krūvininkų gyvavimo trukmes ir difuzijos koeficientą; skaitmeninis krūvininkų dinamikos modeliavimas naudojant Monte Carlo metodą.
Šiuo metu tyrimai nukreipti į šias temas:
- Greitų procesų tyrimas nuosavose ar legiruotose sintiliuojančiose medžiagose siekiant sukurti sparčius, 10 ps eilės laikinės skyros jonizuojančiosios spinduliuotės detektorius, skirtus medicinoje naudojamai vaizdinimo įrangai ir aukštų energijų dalelių fizikos eksperimentams, ypač orientuojantis į specifinius CERN eksperimentų atnaujinimo projektus.
- Krūvininkų rekombinacijos ir difuzijos tyrimai III grupės nitridų puslaidininkiuose ir jų heterodariniuose siekiant geriau suprasti krūvininkų lokalizacijos bei vidinių elektrinių laukų įtaką spindulinėms šių medžiagų savybėms bei šviestukų vidiniam kvantiniam našumui, ypatingą dėmesį skiriant tokioms temoms kaip priverstinė spinduliuotė plačiatarpiuose nitriduose, žalių InGaN šviestukų kvantinis našumas ir InN infraraudonosios srities optoelektroniniai prietaisai.
- Krūvininkų pernašos ypatumų tyrimai hibridiniuose metalo halogenido perovskitų puslaidininkiuose. Didžiausią indėlį į šią sritį pavyko įnešti naudojant šviesa indukuotų gardelių metodą, kuriuo naudojantis galima bekontaktiškai išmatuoti krūvininkų difuzijos koeficientą perovskitų netvarkiuose lietuose sluoksniuose ir kristaluose.
Mažesniu mastu atliekamas saulės elementų charakterizavimas, tiriami plazmoniniai procesai bei plačiatarpiai puslaidininkiai (SiC, deimantas), skirti aukštos galios elektronikai.
Tyrėjai
|
Prof. Gintautas Tamulaitis Vyriausiasis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B231 Tel.: +370 5 223-4481 |
Prof. Vincas Tamošiūnas Vyriausiasis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B226 Tel.: +370 5 223-4491 |
Prof. Edmundas Kuokštis
|
|
Prof. Ramūnas Aleksiejūnas Vyresnysis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B228 Tel.: +370 5 223-4492 |
Doc. Jūras Mickevičius Vyresnysis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B221 Tel.: +370 5 223-4508 |
Doc. Saulius Nargelas Vyresnysis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B228 Tel.: +370 5 223-4492 |
|
Dr. Patrik Ščajev Vyresnysis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B227 Tel.: +370 5 223-4493 |
Dr. Jonas Jurkevičius Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B222 Tel.: +370 5 223-4509 |
Dr. Kazimieras Nomeika Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. A201 Tel.: +370 5 223-4467 |
|
Dr. Žydrūnas Podlipskas Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. A201 Tel.: +370 5 223-4467 |
Dr. Oleg Kravcov Mokslo darbuotojas Saulėtekio .al. 3, kab. B225 Tel.: +370 5 223-4490 |
Dr. Augustas Vaitkevičius Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B222 Tel.: +370 5 223-4509 |
Laboratorijos
Femtosekundinės optinės spektroskopijos laboratorija
Naudojami matavimo metodai (su femtosekundine laikine skyra):
-
netiesine optine sugertimi pagrįsti žadinimo ir zondavimo metodai (selektyvus žadinimas derinamos energijos fotonais, zondavimas monochromatine šviesa arba baltos šviesos kontinuumu);
-
šviesa indukuotų dinaminių gardelių metodas (leidžia tuo pat metu nustatyti krūvininkų gyvavimo trukmes ir difuzijos koeficientus).
Įranga:
- Femtosekundinis KGW:Yb lazeris PHAROS (6W@30KHz, 200 fs, 1030 nm, Šviesos Konversija);
- Du optiniai parametriniai stiprintuvai Orpheus (630–2500 nm, Šviesos Konversija);
- Optinio sužadinimo–zondavimo tyrimų stendas:
- Sužadinimo bangos ilgiai: 210–2500 nm;
- Zondo bangos ilgiai 630–2500 nm (monochromatinis zondas), 380–1700 nm (zonduojama baltos šviesos kontinuumu); zondo vėlinimas iki 8 ns;
- Laikinė skyra: ~300 fs.
- Šviesa indukuotų dinaminių gardelių tyrimų stendas:
- Sužadinimo bangos ilgiai: 210–1000 nm;
- Zondo bangos ilgiai 630–2500 nm, zondo vėlinimas iki 8 ns;
- Laikinė skyra: ~300 fs.
- Liuminescencijos up-konvertavimo tyrimų stendas:
- Sužadinimo bangos ilgiai 210–1000 nm;
- Vartų impulso vėlinimas iki 8 ns;
- Laikinė skyra: ~400 fs.
- Becker&Hickl TCSPC sistema (spektrinis intervalas 350–1700 nm, laikinė skyra 200 ps) su Andor Kymera 193i spektrometru;
- 6 colių diametro integruojanti sfera su BaSO4 danga optinės sugerties ir atspindžio charakteristikų matavimui;
- Avantes Avaspec-2048 StarLine spektrometras (Padidinto UV jautrumo Si detektorius);
- Uždaro ciklo helio kriostatas (10–300 K);
- Skysto azoto kriostatas (78–800 K);
- Ultragarsinė vonelė, suspausto azoto dujos ir kita bandinių paruošimo įranga.
Laboratoroijos vadovas: Dr. Saulius Nargelas
Pikosekundinės optinės spektroskopijos laboratorija
Naudojami matavimo metodai (su pikosekundine laikine skyra):
-
netiesine optine sugertimi pagrįsti žadinimo ir zondavimo metodai (selektyvus žadinimas derinamos energijos fotonais, zondavimas monochromatine šviesa arba baltos šviesos kontinuumu);
-
šviesa indukuotų dinaminių gardelių metodas (leidžia tuo pat metu nustatyti krūvininkų gyvavimo trukmes ir difuzijos koeficientus);
-
fotolaidumo matavimas žadinimo ir zondavimo būdu;
-
fotoliuminescencijos spektrų, jų relaksacijos ir efektyvumo matavimas;
-
volt-amperinių charakteristikų matavimas.
Įranga:
- Didelės galios Nd:YAG (PL2143, EKSPLA), Nd:YLF (PL2243, EKSPLA) lazeriai su harmonikų generatoriais (spinduliuotės bangos ilgiai: 1053, 527, 351, 266, 213 nm); impulso trukmės, atitinkamai, 25 ps ir 8 ps.
- Optinis parametrinis generatorius PG401 (EKSPLA), bangos ilgio derinimo diapazonas: 400-2000 nm.
- NL202 (EKSPLA) lazeris (1064, 532, 355 nm) su 2 ns impulso trukme bei telekomunikacinis CW lazeris su 1555 nm bangos ilgiu lėtų procesų zondavimui (> 1 ns).
- Didelės galios Nd:YAG 5 ns lazeris (1064, 532, 800, 1300 nm).
- Derinamos temperatūros kriostatai CTI-CRYOGENICS (temperatūrų intervalai: 10-300 K ir 80 - 800 K).
- Mikrobangų generatorius, bangolaidžiai, skaitmeniniai oscilografai (0,35, 6 Ghz), fotodetektoriai (Thorlabs DET08 5 GHz bandwidth, Alphalas 2 GHz), energijos matuoklis.
- Optinės vėlinimo linijos (nuo 10 ps iki 12 ns, Standa, Aerotech ACT115DL).
- Highland technology P400 skaitmeninis vėlinimo ir impulsų generatorius, drebesys (jitter): <10 ps; laikinė skyra: 1 ps, vėlinimo generatorius PG-874.
- Integruojanti sfera (AvaSphere-150), 6 colių, kvantinio našumo matavimui, termoelektriškai šaldomas spektrometras ASEQ Instruments LR1-T (200-1100 nm).
- Vaizdinimo monochromatorius-spektrometras 500 cm židinio (185-3000 nm) SOLAR TII MS520i su termoelektriškai šaldoma Si kamera (DHYANA400BSI V2 200-1100 nm) ir InGaAs kamera (NIT, 900-1600 nm).
- Ksenoninis šviesos šaltinis (Hamamatsu 75 W super quiet xenon lamp with supply C12122-020-57-C3) 200-2000 nm intervale, su monochromatoriumi (MDP-4, SOL SL100).
- Matuoklis (Keithley 2401), maitinimo šaltinis HYELEC.
- Bandinių poliravimo staklės (UNIPOL-300); mikroskopas.
Laboratorijos vadovas: Dr. Patrik Ščajev
Nanofotonikos laboratorija
Naudojami matavimo metodai:
- fotoliuminescencinė spektroskopija su ~100 nm erdvine skyra, pasiekiama panaudojant skenuojančiąją artimojo lauko optinę mikroskopiją (SNOM), ir leidžianti sinchroniškai matuoti paviršiaus morfologiją bei fotoliuminescencijos parametrų erdvinį pasiskirstymą;
- fotoliuminescencinė spektroskopija su submikrometrine erdvine skyra panaudojant konfokalinę mikroskopiją;
- atominių jėgų mikroskopija (AFM).
Įranga:
Įrangos pagrindą sudaro daugiafunkcinė mikroskopinė sistema WITec Alpha 300, galinti veikti trimis režimais:
- skenuojančiojo artimojo lauko optinio mikroskopo (SNOM);
- konfokalinio mikroskopo;
- atominių jėgų mokroskopo (AFM).
Žadinimo šaltiniai:
- nuolatinės veikos He-Cd lazeris (442 nm);
- nuolatinės veikos lazeriniai diodai emituojantys 405 nm ir 660 nm bangos ilgio spinduliuotę.
Liuminescencijos registravimo sistema:
- spectrometras UTS-300 su surištųjų krūvių kamera (CCD) (spektrinis ruožas: 300-900 nm);
- spectrometras SR-303 su InGaAs surištųjų krūvių kamera (CCD) (spektrinis ruožas: 800-2200 nm);
- fotodaugintuvas (spektrinis ruožas: 185-850 nm);
- InGaAs detektorinis modulis (spektrinis ruožas: 1000-2050 nm).
Laboratorijos vadovas: Dr. Darius Dobrovolskas
Liuminescencinės spektroskopijos laboratorija
Naudojami matavimo metodai:
- fotoliuminescencinė spektroskopija stacionaraus ir kvazistacionaraus žadinimo sąlygomis su galimybe matuoti liuminescencijos spektrus žadinant rezonansiškai;
- fotoliuminescencinė spektroskopija su laikine skyra nanosekundžių skalėje;
- Ramano spektroskopija.
Įranga:
Žadinimo šaltiniai:
- CW He-Cd lazeris (325 nm);
- Moduliuotos kokybės YAG:Nd lazeris su harmonikų generatoriais (bangos ilgiai: 1064, 532, 355, 266, ir 213 nm; impulso trykmė: 4 ns; maksimali impulso energija: 250 mJ@1064 nm, 120 mJ@532 nm, 80 mJ@355 nm, 30 mJ@266 nm, 8 mJ@213 nm);
- derinamo bangos ilgio lazeris (derinimo intervalas: 210-2300 nm; impulso trukmė: 4 ns; maksimali impulso energija: 5 mJ@210-420 nm, 30 mJ@420-2300 nm).
Luminescencijos registravimo sistemos:
- didelio kontrasto (12 eilių) dvigubas monochromatorius Jobin Yvon HRD-1 su fotodaugintoju (spektro ruožas: 160-930 nm);
- spektrometras SR-500 su sustiprinto surištojo krūvio kamera (ICCD) (spektrinis ruožas: 180-850 nm, laikinė skyra: 2 ns);
- spektrometras SR-303 su InGaAs surištojo krūvio kamera (CCD) (spektrinis ruožas: 800-2200 nm).
Pagalbinė įranga:
- uždaro ciklo helinis kriostatas su galimybe fiksuoti temperatūrą intervale nuo 8 iki 300 K;
- lazerio galios matuokliai;
- šviesolaidinės sąsajos su spektrometrais.
Laboratorijos vadovas: Dr. Jūras Mickevičius
Fotoelektrinių reiškinių laboratorija
Naudojami matavimo metodai:
- šviestukų masyvų ir Saulės imitatorių funkcinių savybių tyrimai;
- fotovoltinių elementų charakterizavimas lazeriu indukuotos fotostrovės (LBIC) metodu.
Įranga:
Autentiškai suprojektuotas matavimų kompleksas matuoti šviestukų ir Saulės spinduliuotės simuliatorių funkcines savybes:
- programiškai valdomi aukšto tikslumo dviejų krypčių pozicionavimo stalai (Standa 8MT195 and 8MT295) energinės apšvietos ir spektrinio energinės apšvietos tankio pasiskirstymų matavimui 300 × 300 mm2 plote;
- jutikliai: Avantes AvaSpec 2048 spektrometras su kosinusiniu korektoriumi ir šviesolaidinėmis sąsajomis; fotodiodai; kompaktiški c-Si bei a-Si fotovoltiniais elementai;
- programuojami maitinimo šaltiniai: iki 6 kanalų, 56 V, 4 A (TTi QL564TP).
Autentiškai suprojektuotas matavimų kompleksas fotovoltinių elementų charakterizavimui lazeriu indukuotos fotostrovės (LBIC) metodu:
- tiriamas plotas: iki 300 × 300 mm2 12.5 mm ar didesniu žingsniu;
- standartiniai šaltiniai - puslaidininkiniai lazeriniai diodai.
Laboratorijos vadovas: Prof. Vincas Tamošiūnas
Skaitmeninio modeliavimo laboratorija
Modeliavimo metodai:
- nepusiausvirųjų krūvininkų dinamikos modeliavimas panaudojant spartos lygtis;
- surištos laisvų ir lokalizuotų nepusiausvirųjų krūvininkų dinamikos modeliavimas panaudojant Monte Karlo metodą.
 |
 |
Modeliavimo galimybės:
- liuminescencijos parametrų (intensyvumo, juostų spektrinės padėties, pločio) priklausomybę nuo temperatūros;
- liuminescencijos ir nepusiausvirųjų krūvininkų tankio relaksacijos kinetikos;
- vidinio kvantinio našumo priklausomybės nuo temperatūros ir krūvininkų tankio;
- krūvininkų gyvavimo trukmės ir jų fotoliuminescencijos priklausomybės nuo krūvininkų energijos.
Laboratorijos vadovas: Oleg Kravcov
Katodoliuminescencijos laboratorija
Naudojami matavimo metodai
- Skenuojanti elektronų mikroskopija (SEM) su nanometrine erdvine skyra
- Katodoliuminescencijos spektroskopija (CL) su nanometrine erdvine ir pikosekundine laikine skyromis; CL ir SEM signalai yra detektuojami sinchroniškai, kas leidžia dideliu tikslumu gretinti paviršiaus morfologiją ir stacionarių bei laikinių liuminescencijos ypatybių erdvinį pasiskirstymą
Įranga
Įrangos pagrindą sudaro Attolight Chronos hibridinis optinis ir skenuojantis elektronų mikroskopas su elektronų patranka, veikiančia stacionariame ir impulsiniame režimuose.
Elektronų šaltinio, jų greitinimo ir pluošto formavimo sistemos parametrai:
- Elektronų šaltinio emisijos mechanizmas — Schottky terminė emisija (stacionariame režime) ir fotoelektrinė emisija (impulsiniame režime)
- Elektronų greitinimo įtampa — nuo 1 kV iki 10 kV (stacionariame režime); nuo 3 kV iki 10 kV (impulsiniame režime)
- Elektronų pluoštelio dėmės dydis — 3 nm (stacionariame režime); 10 nm (impulsiniame režime)
- Elektronų zondo srovės stipris — iki 300nA (stacionariame režime); 50 pA (impulsiniame režime)
- Elektronų impulsų trukmė ir pasikartojimo dažnis — 10 ps, 80 MHz
Kriogeninės bandinių kameros ir jų pozicionavimo sistemos parametrai:
- Pozicionavimo ašys ir jų eiga — X, Y (25 mm); Z (3 mm); Qx, Qy (3°); Qz (35°)
- Mažiausias poslinkio žingsnis — 1 nm
- Šaldymo temperatūrų ruožas — nuo 10 K iki 320 K
CL signalo surinkimo sistema:
- Aplanatinis/achromatinis lęšis su 300 mm matymo lauku
- Spektrometras su trimis difrakcinėmis gardelėmis, pritaikytomis skirtingiems spektriniams ruožams
- UV-VIS CCD kamera (spektrinis ruožas – 200-900 nm) su >900 spektrų/s nuskaitymo sparta
- UV-VIS Streak kamera (spektrinis ruožas – 200-900 nm)
Laboratorijos vadovas: Dr. Žydrūnas Podlipskas
Projektai
Vykdomi:
Kompensuoto lauko InGaN dariniai efektyviems žydriems šviestukams
Numeris: S-MIP-22-82
Vadovas: prof. R. Aleksiejūnas.
Trukmė: 2022-2025
Finansavimas: 149 969EUR
Agentūra: LMT
Įvykdyti:
Programos Horizontas 2020 ATTRACT projektas: Radiacijai atsparių ir ekonomiškų neorganinių scintiliatorių, skirtų kalorimetriniams detektoriams, kūrimas, pagrįstas dvinariais stiklais, legiruotais ceriu. SCINTIGLAS
Vadovas: prof. G. Tamulaitis.
Trukmė: 2019-2020
Finansavimas: 10 000 EUR
Agentūra: EU H2020
Spartūs scintiliatoriai spinduliuotės detektoriams
Numeris: 09.3.3-LMT-K-712-01-0013
Vadovas: prof. G. Tamulaitis.
Trukmė: 2018-2022
Finansavimas: 591 144 EUR
Agentūra: LMT
Neutronų srauto detektavimo sistema su optiniu signalo nuskaitymu
Numeris: 01.2.2-LMT-K-718-01-0041
Vadovas: prof. G. Tamulaitis.
Trukmė: 2018-2022
Finansavimas: 529 447 EUR
Agentūra: LMT
Nespindulinės rekombinacijos keliai nepoliniuose ir pusiau poliniuose InGaN dariniuose
Numeris: MIP-17-75
Vadovas: dr. S. Nargelas
Trukmė: 2017-2020
Finansavimas: 100 000 EUR
Agentūra: LMT
Intensyvių elektroninių sužadinimų supratimo ir modeliavimo link (COST TUMIEE)
Numeris: COST veikla CA-17126
Veiklos vykdančiojo komiteto narys: prof. G. Tamulaitis
Trukmė: 2014-2022
Finansavimas: kelionių išlaidoms
Agentūra: EU H2020
Lietuvos-Latvijos-Taivano kooperacijos projektas Fotosensorius GeSn pagrindu – nuo fundamentinių tyrimų iki taikymų
Numeris: Nr. P-LLT-18-6
Trukmė: 2018-2020
Vadovas: P. Ščajev
Finansavimas: 75 000 USD
Spektrinės ir laikinės skyros sugerties ir fotoliuminescencijos elektro‐optinis registratorius
Numeris: Nr. S-MIP-19-34
Trukmė: 2019-2022
Vadovas: P. Ščajev
Finansavimas: 149 982 EUR
Agentūra: Lietuvos mokslo taryba
Local support from the Lithuanian Academy of Sciences for participation in activities of CERN Crystal Clear Collaboration (RD18)
Vadovas: prof. G. Tamulaitis
Trukmė: 2019
Finansavimas: 23 103 EUR
Agentūra: Lietuvos mokslų akademija
AIDA 2020: Infrastructure for advanced calorimeters
Numeris: H2020-INFRAIA-2014-2015 project 654168, VU group activity WP 14
Vadovas: prof. G. Tamulaitis
Trukmė: 2015-2019
Finansavimas: 40 000 EUR
Agentūra: EU H2020
Nitridiniai puslaidininkiai radiacijai atspariems infraraudonosios spinduliuotės detektoriams
Numeris: LAT-16022
Vadovas: prof. G. Tamulaitis.
Trukmė: 2016-2018
Finansavimas: 299995 EUR
Agentūra: LMT
Defektų ir krūvininkų lokalizacijos įtakų spinduliuotei identifikavimas InGaN dariniuose žaliems šviestukams
Numeris : MIP-079/2015
Vadovas : dr. J. Mickevičius
Trukmė : 2015-2018
Finansavimas : 99131 EUR
Agentūra: LMT
COST: Spartus novatoriškas scintiliatorių nuskaitymas
Numeris : COST TD1401
Vadovas : prof. G. Tamulaitis.
Trukmė : 2014-2018
Mokymo tinklo švietimo energijos efektyvumo didinimo srityje kūrimas
Numeris : 530379-TEMPUS-1-2012-1-LV-TEMPUS-JPCR
Vadovas: prof. G. Tamulaitis.
Trukmė : 2012-2015
Finansavimas : 31100 EUR
Šviesos emisijos nitridiniuose puslaidininkiuose stiprinimas gerinant gardelių suderinamumą
Numeris: VP1-3.1-ŠMM-07-K-02-014
Vadovas: prof. G. Tamulaitis.
Trukmė: 2012-2015
Finansavimas: 376 744 EUR
Agentūra: LMT
Plačiatarpių nitridinių puslaidininkių liuminescencijos našumo didinimas
Numeris: MIP-054/2012, 2012-2014
Vadovas: dr. J. Mickevičius
Trukmė: 2012-2014
Finansavimas: 256500 EUR
Agentūra: LMT
Publikacijos
2023
J. Mickevičius, E. Valkiūnaitė, Ž. Podlipskas, K. Nomeika, S. Nargelas, G. Tamulaitis, Y.C. Chow, S. Nakamura, J.S. Speck, C. Weisbuch, R. Aleksiejūnas, “Dynamics of double-peak photoluminescence in m-plane InGaN/GaN MQWs”, Journal of Luminescence Vol. 257, p. 119732 (1-6), 2023
G. Tamulaitis, S. Nargelas, Y. Talochka, A. Vaitkevičius, M. Korjik, V. Mechinsky, R. Paramatti, I. Dafinei, M.T. Lucchini, E. Auffray, N. Kratochwil, “Transient optical absorption technique to test timing properties of LYSO:Ce scintillators for the CMS Barrel Timing Layer”, Radiation Physics and Chemistry, Vol. 206, p. 110792 (1-8), 2023
S. Nargelas, A. Solovjovas, Y. Talochka, Ž. Podlipskas, M. Kucera, Z. Lucenicova, and G. Tamulaitis, “Influence of heavy magnesium codoping on emission decay in Ce-doped multicomponent garnet scintillators”, Journal of Materials Chemistry C, 11, 12007-12015, 2023
P. Ščajev, S. Miasojedovas, A. Mekys, P. Onufrijevs, H.-H. Cheng, “Time-Resolved Photoluminescence in GeSn Film by New Infrared Streak Camera Attachment Based on a Broadband Light Upconversion”, Coatings, Vol. 13, p. 111, 2023
Ž. Vosylius, A. Novičkovas and V. Tamošiūnas, “Optimization of LED-Based Solar Simulators for Cadmium Telluride and Microcrystalline Silicon Solar Cells”, Energies, Vol. 16, p. 5741, 2023
P. Ščajev, and A. Mekys, “Cost-efficient single photon-sensitive nanosecond gated spectrometer based on commercial grade image intensifier”, Journal of Instrumentation, Vol. 18, p. P05026, 2023
Ž. Vosylius, D. Antonovič, A. Novičkovas, E. Gaubas, V. Tamošiūnas, “Rational selection of light sources for LED-based solar simulators”, Solar Energy, Vol. 265, p. 112064, 2023
Y. Talochka, R. Aleksiejūnas, Ž. Podlipskas, J. Mickevičius, G. Tamulaitis, „Evaluation of ambipolar diffusion coefficient in AlxGa1-xN semiconductor“, Journal of Alloys and Compounds, Vol. 969, p. 172475, 2023
2022
K. Nomeika, Ž. Podlipskas, V. Tamošiūnas, J. Jurkevičius, M.N. Alsamsam, S. Nargelas, R. Aleksiejūnas, M. Korjik, and G. Tamulaitis, “A new method for remote detection of ionizing radiation using transient optical absorption”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Vol. 1029, p. 166408 (1-5), 2022
Ž. Vosylius, A. Novičkovas, K. Laurinavičius, and V. Tamošiūnas, “Rational Design of Scalable Solar Simulators With Arrays of Light-Emitting Diodes and Double Reflectors”, IEEE Journal of Photovoltaics, Vol. 12, p. 512-520, 2022
J. Jorudas, P. Prystawko, A. Šimukovič, R. Aleksiejūnas, J. Mickevičius, M. Krysko, P.P. Michalowski, and I. Kašalynas, “Development of Quaternary InAlGaN Barrier Layer for High Electron Mobility Transistor Structures”, Materials, Vol. 15, p. 1118 (1-10), 2022
K. Nomeika, Ž. Podlipskas, M. Nikitina, S. Nargelas, G. Tamulaitis, and R. Aleksiejūnas, “Impact of carrier diffusion on the internal quantum efficiency of InGaN quantum well structures”, Journal of Materials Chemistry C, Vol. 10, p. 1735-1745, 2022
P. Ščajev, A. Mekys, L. Subačius, S. Stanionytė, D. Kuciauskas, K.G. Lynn, and S.K. Swain, “Impact of dopant‑induced band tails on optical spectra, charge carrier transport, and dynamics in single‑crystal CdTe”, Scientifc Reports, Vol. 12, p. 12851 (1-10), 2022
M. Korzhik, K.T. Brinkmann, V. Dormenev, M. Follin, J. Houzvicka, D. Kazlou, J. Kopal, V. Mechinsky, S. Nargelas, P. Orsich, Ž. Podlipskas, V. Sharyy, S. Sykorova, Y. Talochka, G. Tamulaitis, D. Yvon, H.G. Zaunick, “Ultrafast PWO scintillator for future high energy physics instrumentation”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Vol. 1034, p. 166781 (1-7), 2022
S. Nargelas, Y. Talochka, A. Vaitkevičius, G. Dosovitskiy, O. Buzanov, A. Vasil'ev, T. Malinauskas, M. Korzhik, G. Tamulaitis, „Influence of matrix composition and its fluctuations on excitation relaxation and emission spectrum of Ce ions in (Gdx Y1-x)3Al2Ga3O12:Ce scintillators“, Journal of Luminescence, Vol. 242, p. 118590 (1-11), 2022
P. Ščajev, S. Miasojedovas, M. Mazuronytė, L. Chang, M. M.-C. Chou, “Magnesium zinc oxide detectors for fast ultraviolet detection,” Journal of Applied Physics, Vol. 132, p. 144501 (1-13), 2022
L. Abdelrazik, V. Jašinskas, Ž. Podlipskas, R. Aleksiejūnas, G. Tamulaitis, V. Gulbinas, and A. Vyšniauskas, “Exciton Transfer Dynamics and Annihilation in Rubidium–Cesium-Alloyed, Quasi-Two-Dimensional Perovskite”, Photonics, Vol. 9, p. 578, 2022
V. Tamošiūnas, L. Minkevičius, I. Bučius, D. Jokubauskis, K. Redeckas, G. Valušis, “Design and Performance of Extraordinary Low-Cost Compact Terahertz Imaging System Based on Electronic Components and Paraffin Wax Optics”, Sensors Vol. 22, p. 8485, 2022
Y. Talochka, A. Vasil'ev, M. Korzhik, and G. Tamulaitis, “Impact of compositional disorder on electron migration in lutetium-yttrium oxyorthosilicate scintillator”, Journal of Applied Physics, Vol. 132, p. 053101 (1-11), 2022
L. Martinazzoli, S. Nargelas, P. Bohacek, R. Cala, M. Dusek, J. Rohlicek, G. Tamulaitis, E. Auffray, M. Nikl, “Compositional engineering of multicomponent garnet scintillators: towards an ultra-accelerated scintillation response”, Materials Advances Vol. 3, p. 6842-6852, 2022
G. Tamulaitis, S. Nargelas, M. Korjik, V. Mechinsky, Y. Talochka, A. Vaitkevičius, A. Vasil'ev, “Transient optical absorption as a powerful tool for engineering of lead tungstate scintillators towards faster response”, Journal of Materials Chemistry C, Vol. 10, p. 9521-9529, 2022
2021
J. Mickevičius, K. Nomeika, M. Dmukauskas, A. Kadys, S. Nargelas, R. Aleksiejūnas, „Comparison of growth interruption and temperature variation impact on emission efficiency in blue InGaN/GaN MQWs“, Vacuum, Vol. 183, p. 109871 (1-5), 2021
S. Nargelas, J. Mickevičius, A. Kadys, K. Jarašiūnas, T. Malinauskas, „Stimulated emission threshold in thick GaN epilayers: interplay between charge carrier and photon dynamics“, Optics and Laser Technology, Vol. 134, p. 106624 (1-6), 2021
D. Dobrovolskas, A. Kadys, A. Usikov, T. Malinauskas, K. Badokas, I. Ignatjev, S. Lebedev, A. Lebedev, Y. Makarov, G. Tamulaitis, „Luminescence of structured InN deposited on graphene interlayer“, Journal of Luminescence, Vol. 232, p. 117878 (1-7), 2021
S. Nargelas, G. Dosovitskiy, M. Korzhik, G. Tamulaitis, „Role of inter- and intraconfigurational transitions of Pr3+ ion in nonequilibrium carrier relaxation in garnet-type scintillators“, Optical Materials, Vol. 111, p. 110676 (1-6), 2021
P. Ščajev, V. Soriūtė, G. Kreiza, S. Nargelas, D. Dobrovolskas, T. Malinauskas, L. Subačius, P. Onufrijevs, S. Varnagiris, H-H. Chenge, “Temperature and spatial dependence of carrier lifetime and luminescence intensity in Ge0.95Sn0.05 layer”, Materials Science and Engineering: B, Vol. 270, p. 115204 (1-12), 2021
V. Dormenev, A. Amelina, E. Auffray, K.-T. Brinkmann, G. Dosovitskiy, F. Cova, A. Fedorov, S. Gundacker, D. Kazlou, M. Korjik, N. Kratochwil, V. Ladygin, V. Mechinsky, M. Moritz, S. Nargelas, R.W. Novotny, P. Orsich, M. Salomoni, Y. Talochka, G. Tamulaitis, A. Vaitkevičiu, A. Vedda, H.-G. Zaunick, “Multipurpose Ce-doped Ba-Gd silica glass scintillator for radiation measurement”, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research A, Vol. 1015, p. 165762 (1-10) 2021
O. Kravcov, J. Mickevičius, and G. Tamulaitis, „Origin of thermal quenching of exciton photoluminescence in AlGaN epilayers“, Lithuanian Journal of Physics Vol. 61, No. 2, p. 84-90, 2021
S. Nargelas, G. Tamulaitis, and CMS MTD Collaboration, „Test beam characterization of sensor prototypes for the CMS Barrel MIP Timing Detector“, Journal of Instrumentation Vol. 16, p. P07023, 2021
S. Nargelas, Y. Talochka, A. Vaitkevičius, G. Dosovitskiy, O. Buzanov, A. Vasil'ev, T. Malinauskas, M. Korzhik, G. Tamulaitis, „Influence of matrix composition and its fluctuations on excitation relaxation and emission spectrum of Ce ions in (Gdx Y1-x)3Al2Ga3O12:Ce scintillators“, Journal of Luminescence, p. 118590, 2021.
P. Ščajev, P. Onufrijevs, A. Mekys, T. Malinauskas, D. Augulis, L. Subačius, K-Ch. Lee, J. Kaupuzs, S.Varnagiris, A. Medvids, H-Hs. Cheng, „Extension of spectral sensitivity of GeSn IR photodiode after laser annealing“, Applied Surface Science Vol. 555, p. 149711 (1-8), 2021
P. Ščajev, R. Durena, P. Onufrijevs, S. Miasojedovas, T. Malinauskas, S. Stanionytė, A. Zarkov, A. Zukuls, I. Bite, K. Smits, „Morphological and optical property study of Li doped ZnO produced by microwave-assisted solvothermal synthesis“, Materials Science in Semiconductor Processing Vol. 135, p. 106069 (1-8), 2021
G. Dosovitskiy, V. Dubov, P. Karpyuk, P. Volkov, G. Tamulaitis, A. Borisevich, A. Vaitkevičius, K. Prikhodko, L. Kutuzov, R. Svetogorov, A. Veligzhanin, M. Korzhik, „Activator segregation and micro-luminescence properties in GAGG: Ce ceramics“, Journal of Luminescence Vol. 236, p. 118140 (1-8), 2021
G. Dosovitskiy, A. Golutivin, I. Guz, R. Jacobsson, M. Korzhik, V. Mechinsky, Y. Talochka, G. Tamulaitis, A. Schopper, E. Shmanin, „Time and energy resolution with SPACAL type modules made of high-light-yield Ce-doped inorganic scintillation materials: Spillover and background noise effects“, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment Vol. 999, p. 165169 (1-10), 2021
P. Ščajev, “Time-resolved photoluminescence and xenon differential transmission measurement device based on electro-optic deflector”, Optical Components and Materials XVIII (2021) – SPIE Vol. 11682, p. 1168205 (1-6), 2021
2020
M. Korzhik, G. Tamulaitis, A. Vasil'ev, Physics of Fast Processes in Scintillators, Springer, 262 pages, 2020, ISBN-13: 978-3-030-21965-9, ISBN-10: 3030219658.
O. Kravcov, J. Mickevičius and G. Tamulaitis, “Kinetic Monte Carlo simulations of the dynamics of a coupled system of free and localized carriers in AlGaN”, Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 32, p. 145901 (8p), 2020.
P. Ščajev, V. Soriūtė, G. Kreiza, T. Malinauskas, S. Stanionytė, P. Onufrijevs, A. Medvids, and H-H. Cheng, “Temperature dependent carrier lifetime, diffusion coefficient, and diffusion length in Ge0.95Sn0.05 epilayer”, Journal of Applied Physics, Vol. 128, p. 115103, 2020.
P. Grivickas, P. Ščajev, N. Kazuchits, S. Lastovskii, L. F. Voss, A. M. Conway, A. Mazanik, O. Korolik, V. Bikbajevas, and V. Grivickas, "Carrier recombination and diffusion in high purity diamond after electron irradiation and annealing", Appl. Phys. Lett. 117, 242103, 2020
G. Tamulaitis, E. Auffray, A. Gola, M. Korzhik, A. Mazzi, V. Mechinski, S. Nargelas, Y. Talochka, A. Vaitkevičius, A. Vasil'ev, “Improvement of the timing properties of Ce-doped oxyorthosilicate LYSO scintillating crystals”, Journal of Physics and Chemistry of Solids, Vol. 139, p. 109256 (1-11), 2020.
D. Kuciauskas, J. Moseley, P. Ščajev, and D. Albin, “Radiative Efficiency and Charge-Carrier Lifetimes and Diffusion Length in Polycrystalline CdSeTe Heterostructures”, physica status solidi – Rapid Research Letters, Vol. 14, p. 1900606, 2020.
J. Pavlov, T. Čeponis, L. Deveikis, V. Rumbauskas, G. Tamulaitis, E. Gaubas, “Modification of characteristics of AlGaN photodiodes by 1.6 MeV proton irradiation”, Journal of Instrumentation, Vol. 15, p. C01026 (1-9), 2020.
P. Onufrijevs, P. Ščajev, A. Medvids, M. Andrulevičius, S. Nargelas, T. Malinauskas, S. Stanionytė, M. Skapas, L. Grase, A. Pludons, M. Oehme, K. Lyutovich, E. Kasper, J. Schulze, H. H. Chengg, “Direct-indirect GeSn band structure formation by laser Radiation: The enhancement of Sn solubility in Ge”, Optics and Laser Technology, Vol. 128, p. 106200 (1-7), 2020.
K.Ch. Lee, M.X. Lin, H. Li, H.H. Cheng, G. Sun, R. Soref, J. R. Hendrickson, K.M. Hung, P. Ščajev, and A. Medvids, “Planar GeSn photodiode for high-detectivity photodetection at 1550 nm”, Applied Physics Letters, Vol. 117, p. 012102 (1-5), 2020.
P. Grivickas, P. Ščajev, N. Kazuchits, A. Mazanik, O. Korolik, L. F. Voss, A. M. Conway, D. Hall, M. Bora, L. Subačius, V. Bikbajevas, and V. Grivickas, “Carrier recombination parameters in diamond after surface boron implantation and annealing”, Journal of Applied Physics, Vol. 127, 245707 (1-6), 2020.
P. Ščajev, K. Jarašiūnas, and J. Leach, “Carrier recombination processes in Fe-doped GaN studied by optical pump–probe techniques”, Journal of Applied Physics, Vol. 127, p. 245705 (1-9), 2020.
S. Miasojedovas, P. Ščajev, K. Jarašiūnas, B. Gil, and H. Miyake, “Photoluminescence efficiency of Al-rich AlGaN heterostructures in a wide range of photoexcitation densities over temperatures up to 550 K”, Physical Review B, Vol. 102, p. 035201 (1-14), 2020.
M. Schreck, P. Ščajev, M. Träger, M. Mayr, T. Grünwald, M. Fischer, and S. Gsell, “Charge carrier trapping by dislocations in single crystal diamond”, Journal of Applied Physics Vol. 127, p. 125102 (1-16), 2020.
D.L. Hall, L.F. Voss, P. Grivickas, M. Bora, A.M. Conway, P. Ščajev, and V. Grivickas, “Photoconductive Switch With High Sub-Bandgap Responsivity in Nitrogen-Doped Diamond”, IEEE Electron Device Letters, Vol. 41, p. 1070-1073, 2020.
S. Rasool, P. Ščajev, K. Saritha, I. Svito, K. T. Ramakrishna Reddy, M.S. Tivanov, V. Grivickas, „Determination of carrier lifetime in thermally evaporated In2S3 thin films by light induced transient grating technique“, Applied Physics A, Vol. 126, p. 312 (1-6), 2020.
P. Ščajev, S. Miasojedovas, S. Juršėnas, “A carrier density dependent diffusion coefficient, recombination rate and diffusion length in MAPbI(3)and MAPbBr(3)crystals measured under one- and two-photon excitations”, Journal of Materials Chemistry C, Vol. 8, p. 10290-10301, 2020.
R. Aleksiejūnas, K. Nomeika, O. Kravcov, S. Nargelas, L. Kuritzky, Ch. Lynsky, Sh. Nakamura, C. Weisbuch, and J.S. Speck, „Impact of alloy disorder induced localization on hole diffusion in highly excited c-plane and m-plane InGaN quantum wells“, Physical Review Applied, Vol. 14, p. 054043 (1-11), 2020.
2019
Ž. Podlipskas, J. Jurkevičius, A. Kadys, M. Kolenda, V. Kovalevskij, D. Dobrovolskas, R. Aleksiejūnas, G. Tamulaitis, Extreme radiation resistance in InN, J. Alloys Compd. 789 (2019) 48–55. doi:10.1016/J.JALLCOM.2019.03.108.
D. Dobrovolskas, S. Arakawa, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, J. Mickevičius, G. Tamulaitis, Enhancement of InN Luminescence by Introduction of Graphene Interlayer, Nanomaterials. 9 (2019) 417. doi:10.3390/nano9030417.
M. Korzhik, A. Gola, J. Houžvička, A. Mazzi, S. Nargelas, S. Sýkorová, G. Tamulaitis, A. Vaitkevičius, Timing properties of Ce-doped YAP and LuYAP scintillation crystals, Nucl. Instruments Methods Phys. Res. Sect. A Accel. Spectrometers, Detect. Assoc. Equip. 927 (2019) 169–173. doi:10.1016/j.nima.2019.02.036.
Y. Tratsiak, Y. Bokshits, M. Korjik, G. Tamulaitis, E. Trusova, A. Vaitkevičius, Garnet-based complex substituted glass ceramic materials, Radiat. Meas. 122 (2019) 97–100. doi:10.1016/j.radmeas.2019.02.005.
Y. Tratsiak, E. Trusova, Y. Bokshits, M. Korjik, A. Vaitkevičius, G. Tamulaitis, Garnet-type crystallites, their isomorphism and luminescence properties in glass ceramics, CrystEngComm. 21 (2019) 687–693. doi:10.1039/C8CE01547C.
R. Norkus, R. Aleksiejūnas, A. Kadys, M. Kolenda, G. Tamulaitis, A. Krotkus, Spectral dependence of THz emission from InN and InGaN layers, Sci. Rep. 9 (2019) 7077. doi:10.1038/s41598-019-43642-4.
P. Ščajev, R. Aleksiejūnas, S. Terakawa, C. Qin, T. Fujihara, T. Matsushima, C. Adachi, S. Juršenas, Anisotropy of thermal diffusivity in lead halide perovskite layers revealed by thermal grating technique, J. Phys. Chem. C. 123 (2019) 14914–14920. doi:10.1021/acs.jpcc.9b02288.
P. Ščajev, R. Aleksiejūnas, P. Baronas, D. Litvinas, M. Kolenda, C. Qin, T. Fujihara, T. Matsushima, C. Adachi, S. Juršėnas, Carrier Recombination and Diffusion in Wet-Cast Tin Iodide Perovskite Layers Under High Intensity Photoexcitation, J. Phys. Chem. C. 123 (2019) 19275–19281. doi:10.1021/acs.jpcc.9b03226.
E. Gaubas, P. Baronas, T. Čeponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, E. Kuokstis, J. Mickevičius, V. Rumbauskas, M. Bockowski, M. Iwinska, T. Sochacki, Study of spectral and recombination characteristics of HVPE GaN grown on ammono substrates, Mater. Sci. Semicond. Process. 91 (2019) 341–355. doi:10.1016/J.MSSP.2018.12.010.
D. Dobrovolskas, G. Tamulaitis, E. Gaubas, M. Korjik, GAGG:Ce scintillation fibers for high energy physics applications, J. Instrum. 14 (2019) P06031–P06031. doi:10.1088/1748-0221/14/06/P06031.
J. Mickevičius, D. Dobrovolskas, T. Malinauskas, M. Kolenda, A. Kadys, G. Tamulaitis, Improvement of luminescence properties of InN by optimization of multi-step deposition on sapphire, Thin Solid Films. 680 (2019) 89–93. doi:10.1016/J.TSF.2019.04.032.
P. Scajev, D. Litvinas, V. Soriūtė, G. Kreiza, S. Stanionytė, S. Jursenas, Crystal Structure Ideality Impact to Bimolecular, Auger and Diffusion Coefficients in Mixed Cation Cs x MA 1-x PbBr 3 and Cs x FA 1-x PbBr 3 Perovskites, J. Phys. Chem. C. (2019) acs.jpcc.9b05824. doi:10.1021/acs.jpcc.9b05824.
P. Ščajev, L. Subačius, K. Jarašiūnas, M. Kato, Recombination and diffusion processes in electronic grade 4H silicon carbide, Lith. J. Phys. 59 (2019). doi:10.3952/physics.v59i1.3938.
V. Grivickas, P. Ščajev, V. Bikbajevas, O. V. Korolik, A. V. Mazanik, Carrier dynamics in highly excited TlInS 2 : evidence of 2D electron–hole charge separation at parallel layers, Phys. Chem. Chem. Phys. 21 (2019) 2102–2114. doi:10.1039/C8CP06209A.
P. Ščajev, S. Miasojedovas, L. Subačius, K. Jarašiūnas, A. V. Mazanik, O. V. Korolik, M. Kato, Impact of intrinsic defects on excitation dependent carrier lifetime in thick 4H-SiC studied by complementing microwave photoconductivity, free-carrier absorption and time-resolved photoluminescence techniques, J. Lumin. 212 (2019) 92–98. doi:10.1016/J.JLUMIN.2019.04.018.
P. Ščajev, D. Litvinas, G. Kreiza, S. Stanionytė, T. Malinauskas, R. Tomašiūnas, S. Juršėnas, Highly efficient nanocrystalline Cs x MA 1−x PbBr x perovskite layers for white light generation, Nanotechnology. 30 (2019) 345702. doi:10.1088/1361-6528/ab1a69.
E. Auffray, G. Dosovitskiy, A. Fedorov, I. Guz, M. Korjik, N. Kratochwill, M. Lucchini, S. Nargelas, D. Kozlov, V. Mechinsky, P. Orsich, O. Sidletskiy, G. Tamulaitis, A. Vaitkevičius, Irradiation effects on Gd3Al2Ga3O12 scintillators prospective for application in harsh irradiation environments, Radiation Physics and Chemistry, 164, 108365 (2019).
G. Tamulaitis, A. Vasil’ev, M. Korzhik, A. Mazzi, A. Gola , S. Nargelas, A. Vaitkevičius , A. Fedorov, and D. Kozlov, Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators with SiPM Readout, IEEE Trans. Nucl. Sci. 66, 1879 (2019).
T. Ceponis, K. Badokas, L. Deveikis, J. Pavlov, V. Rumbauskas, V. Kovalevskij, S. Stanionyte, G. Tamulaitis, E. Gaubas, Evolution of Scintillation and Electrical Characteristics of AlGaN Double‐Response Sensors During Proton Irradiation, Sensors, 19, 3388 (2019); doi:10.3390/s19153388.
J.Mickevičius, M.Andrulevicius, O.Ligor, A.Kadys, R.Tomašiūnas, G.Tamulaitis, and E.-M.Pavelescu, Type-II band alignment of low-boron-content BGaN/GaN heterostructures, Journal of Physics D: Applied Physics 52, 325105 (2019).
A. Mekys, J. Jurkevičius, A. Kadys, M. Kolenda, V. Kovalevskij, G. Tamulaitis, Influence of proton irradiation on carrier mobility in InN epitaxial layers, Thin Solid Films, 692, 137619 (2019).
D. Dobrovolskas, G. Tamulaitis, E. Gaubas, M. Korjik, GAGG:Ce scintillation fibers for high energy physics applications, J. Instrumentation, 14, P06031 (2019).
J. Pavlov, T. Ceponis, L. Deveikis, T. Heikkinen, J. Raisanen, V. Rumbauskas, G. Tamulaitis, F. Tuomisto, E. Gaubas, Spectroscopy of defects in neutron irradiated ammono-thermal GaN by combining photoionization, photoluminescence and positron annihilation techniques, Lith. J. Phys. 59, 211-223 (2019).
2018
M.E. Kazyrevich, E.A. Streltsov, М.V. Malashchonak, A.V. Mazanik, A.I. Kulak, P. Ščajev, V. Grivickas, Crystal stacking: A route to control photoelectrochemical behavior of BiOBr films, Electrochim. Acta. 290 (2018) 63–71. doi:10.1016/J.ELECTACTA.2018.09.019.
E.A. Bondarenko, E.A. Streltsov, A. V. Mazanik, A.I. Kulak, V. Grivickas, P. Ščajev, E. V. Skorb, Bismuth oxysulfide film electrodes with giant incident photon-to-current conversion efficiency: the dynamics of properties with deposition time, Phys. Chem. Chem. Phys. 20 (2018) 20340–20346. doi:10.1039/C8CP03225D.
P. Baronas, P. Ščajev, V. Čerkasovas, G. Kreiza, P. Adomėnas, O. Adomėnienė, K. Kazlauskas, C. Adachi, S. Juršėnas, Exciton diffusion in bifluorene single crystals studied by light induced transient grating technique, Appl. Phys. Lett. 112 (2018) 033302. doi:10.1063/1.5008376.
P. Ščajev, S. Miasojedovas, A. Mekys, D. Kuciauskas, K.G. Lynn, S.K. Swain, K. Jarašiūnas, Excitation-dependent carrier lifetime and diffusion length in bulk CdTe determined by time-resolved optical pump-probe techniques, J. Appl. Phys. 123 (2018) 025704. doi:10.1063/1.5010780.
J. Mickevičius, D. Dobrovolskas, J. Aleknavičius, T. Grinys, A. Kadys, G. Tamulaitis, Spatial redistribution of photoexcited carriers in InGaN/GaN structures emitting in a wide spectral range, J. Lumin. 199 (2018) 379–383. doi:10.1016/J.JLUMIN.2018.03.078.
E. Gaubas, T. Ceponis, J. Mickevicius, J. Pavlov, V. Rumbauskas, M. Velicka, E. Simoen, M. Zhao, Pulsed photo-ionization spectroscopy in carbon doped MOCVD GaN epi-layers on Si, Semicond. Sci. Technol. 33 (2018) 075015. doi:10.1088/1361-6641/aaca78.
E. Gaubas, T. Čeponis, D. Dobrovolskas, J. Mickevičius, J. Pavlov, V. Rumbauskas, J.V. Vaitkus, N. Alimov, S. Otajonov, Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy, Thin Solid Films. 660 (2018) 231–235. doi:10.1016/J.TSF.2018.06.016.
G. Tamulatis, G. Dosovitskiy, A. Gola, M. Korjik, A. Mazzi, S. Nargelas, P. Sokolov, A. Vaitkevičius, Improvement of response time in GAGG:Ce scintillation crystals by magnesium codoping, J. Appl. Phys. 124 (2018) 215907. doi:10.1063/1.5064434.
E. Trusova, A. Vaitkevičius, Y. Tratsiak, M. Korjik, P. Mengucci, D. Rinaldi, L. Montalto, V. Marciulionyte, G. Tamulaitis, Barium and lithium silicate glass ceramics doped with rare earth ions for white LEDs, Opt. Mater. (Amst). 84 (2018) 459–465. doi:10.1016/j.optmat.2018.07.030.
P. Ščajev, C. Qin, R. Aleksieju̅nas, P. Baronas, S. Miasojedovas, T. Fujihara, T. Matsushima, C. Adachi, S. Juršėnas, Diffusion Enhancement in Highly Excited MAPbI 3 Perovskite Layers with Additives, J. Phys. Chem. Lett. 9 (2018) 3167–3172. doi:10.1021/acs.jpclett.8b01155.
V. Svrcek, M. Kolenda, A. Kadys, I. Reklaitis, D. Dobrovolskas, T. Malinauskas, M. Lozach, D. Mariotti, M. Strassburg, R. Tomašiūnas, Significant Carrier Extraction Enhancement at the Interface of an InN/p-GaN Heterojunction under Reverse Bias Voltage, Nanomaterials. 8 (2018) 1039. doi:10.3390/nano8121039.
J. Mickevičius, T. Grinys, A. Kadys, G. Tamulaitis, Optimization of growing green-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells on stress-relieving superlattices, Opt. Mater. (Amst). 82 (2018) 71–74. doi:10.1016/J.OPTMAT.2018.05.047.
J. Aleknavičius, E. Pozingytė, R. Butkutė, A. Krotkus, G. Tamulaitis, Influence of laser irradiation on optical properties of GaAsBi/GaAs quantum wells, Lith. J. Phys. 58 (2018). doi:10.3952/physics.v58i1.3656.
R. Aleksiejūnas, Ž. Podlipskas, S. Nargelas, A. Kadys, M. Kolenda, K. Nomeika, J. Mickevičius, G. Tamulaitis, Direct Auger recombination and density-dependent hole diffusion in InN, Sci. Rep. 8 (2018) 4621. doi:10.1038/s41598-018-22832-6.
J. Mickevičius, D. Dobrovolskas, T. Steponavičius, T. Malinauskas, M. Kolenda, A. Kadys, G. Tamulaitis, Engineering of InN epilayers by repeated deposition of ultrathin layers in pulsed MOCVD growth, Appl. Surf. Sci. 427 (2018) 1027–1032. doi:10.1016/J.APSUSC.2017.09.074.
E. Auffray, R. Augulis, A. Fedorov, G. Dosovitskiy, L. Grigorjeva, V. Gulbinas, M. Koschan, M. Lucchini, C. Melcher, S. Nargelas, G. Tamulaitis, A. Vaitkevičius, A. Zolotarjovs, M. Korzhik, Excitation Transfer Engineering in Ce-Doped Oxide Crystalline Scintillators by Codoping with Alkali-Earth Ions, Phys. Status Solidi. 215 (2018) 1700798. doi:10.1002/pssa.201700798.
M.T. Lucchini, O. Buganov, E. Auffray, P. Bohacek, M. Korjik, D. Kozlov, S. Nargelas, M. Nikl, S. Tikhomirov, G. Tamulaitis, A. Vaitkevicius, K. Kamada, A. Yoshikawa, Measurement of non-equilibrium carriers dynamics in Ce-doped YAG, LuAG and GAGG crystals with and without Mg-codoping, J. Lumin. 194 (2018) 1–7. doi:10.1016/J.JLUMIN.2017.10.005.
2017
G. Tamulaitis, Influence of carrier localization on efficiency droop and stimulated emission in AlGaN quantum wells, in Handbook of Solid-State Lighting and LEDs (Series in Optics and Optoelectronics), 722 pages, Zhen Chuan Feng, edt., 1st edition, CRS Press, 2017, p. 243-284. ISBN-10: 149874141X, ISBN-13: 978-1498741415.
G. Tamulaitis, Fast Optical Phenomena in Self-Activated and Ce-Doped Materials Prospective for Fast Timing; in Radiation Detectors, in Engineering of Scintillation Materials and Radiation Technologies, M. Korjik, A. Gektin (Eds.), 339 p., Springer, 2017, p. 35-54; eBook ISBN: 978-3-319-68465-9; Hardcover ISBN: 978-3-319-68464-2; http://www.springer.com/gp/book/9783319684642
M. Korjik, V. Alenkov, A. Borisevich, O. Buzanov, V. Dormenev, G. Dosovitskiy, A. Dosovitskiy, A. Fedorov, D. Kozlov, V. Mechinsky, R.W. Novotny, G. Tamulaitis, V. Vasiliev, H.-G. Zaunick, A.A. Vaitkevičius, Significant improvement of GAGG:Ce based scintillation detector performance with temperature decrease, Nucl. Instruments Methods Phys. Res. Sect. A Accel. Spectrometers, Detect. Assoc. Equip. 871 (2017) 42–46. doi:10.1016/J.NIMA.2017.07.045.
G. Tamulaitis, A. Vaitkevičius, S. Nargelas, R. Augulis, V. Gulbinas, P. Bohacek, M. Nikl, A. Borisevich, A. Fedorov, M. Korjik, E. Auffray, Subpicosecond luminescence rise time in magnesium codoped GAGG:Ce scintillator, Nucl. Instruments Methods Phys. Res. Sect. A Accel. Spectrometers, Detect. Assoc. Equip. 870 (2017) 25–29. doi:10.1016/J.NIMA.2017.07.015.
Y. Tratsiak, Y. Bokshits, A. Borisevich, M. Korjik, A. Vaitkevičius, G. Tamulaitis, Y2CaAlGe(AlO4)3:Ce and Y2MgAlGe(AlO4)3:Ce garnet phosphors for white LEDs, Opt. Mater. (Amst). 67 (2017) 108–112. doi:10.1016/J.OPTMAT.2017.03.047.
P. Ščajev, Excitation and temperature dependent exciton-carrier transport in CVD diamond: Diffusion coefficient, recombination lifetime and diffusion length, Phys. B Condens. Matter. 510 (2017) 92–98. doi:10.1016/j.physb.2017.01.021.
L. Trinkler, A. Trukhin, B. Berzina, V. Korsaks, P. Ščajev, R. Nedzinskas, S. Tumėnas, M.M.C. Chou, L. Chang, C.-A. Li, Luminescence properties of LiGaO2 crystal, Opt. Mater. (Amst). 69 (2017) 449–459. doi:10.1016/J.OPTMAT.2016.11.012.
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Dobrovolskas, T. Malinauskas, D. Meskauskaite, S. Miasojedovas, J. Mickevicius, J. Pavlov, V. Rumbauskas, E. Simoen, M. Zhao, Study of recombination characteristics in MOCVD grown GaN epi-layers on Si, Semicond. Sci. Technol. 32 (2017) 125014. doi:10.1088/1361-6641/aa96e8.
E. Gaubas, T. Ceponis, L. Deveikis, D. Meskauskaite, S. Miasojedovas, J. Mickevicius, J. Pavlov, K. Pukas, J. Vaitkus, M. Velicka, M. Zajac, R. Kucharski, Study of neutron irradiated structures of ammonothermal GaN, J. Phys. D. Appl. Phys. 50 (2017) 135102. doi:10.1088/1361-6463/AA5C6C.
P. Ščajev, R. Aleksieju̅nas, S. Miasojedovas, S. Nargelas, M. Inoue, C. Qin, T. Matsushima, C. Adachi, S. Juršėnas, Two Regimes of Carrier Diffusion in Vapor-Deposited Lead-Halide Perovskites, J. Phys. Chem. C. 121 (2017) 21600–21609. doi:10.1021/acs.jpcc.7b04179.
K. Nomeika, R. Aleksiejūnas, S. Miasojedovas, R. Tomašiūnas, K. Jarašiūnas, I. Pietzonka, M. Strassburg, H.-J. Lugauer, Impact of carrier localization and diffusion on photoluminescence in highly excited cyan and green InGaN LED structures, J. Lumin. 188 (2017) 301–306. doi:10.1016/J.JLUMIN.2017.04.055.
D. Dobrovolskas, J. Mickevičius, S. Nargelas, A. Vaitkevičius, Y. Nanishi, T. Araki, G. Tamulaitis, Influence of defects and indium distribution on emission properties of thick In-rich InGaN layers grown by the DERI technique, Semicond. Sci. Technol. 32 (2017) 025012. doi:10.1088/1361-6641/32/2/025012.
J. Mickevičius, D. Dobrovolskas, R. Aleksiejūnas, K. Nomeika, T. Grinys, A. Kadys, G. Tamulaitis, Influence of growth temperature on carrier localization in InGaN/GaN MQWs with strongly redshifted emission band, J. Cryst. Growth. 459 (2017) 173–177. doi:10.1016/J.JCRYSGRO.2016.12.008.
2016
E. Auffray, M. Korjik, M.T. Lucchini, S. Nargelas, O. Sidletskiy, G. Tamulaitis, Y. Tratsiak, A. Vaitkevičius, Free carrier absorption in self-activated PbWO4 and Ce-doped Y3(Al0.25Ga0.75)3O12 and Gd3Al2Ga3O12 garnet scintillators, Opt. Mater. (Amst). 58 (2016) 461–465. doi:10.1016/J.OPTMAT.2016.06.040.
K. Nomeika, M. Dmukauskas, R. Aleksiejūnas, P. Ščajev, S. Miasojedovas, A. Kadys, S. Nargelas, K. Jarašiūnas, Enhancement of quantum efficiency in InGaN quantum wells by using superlattice interlayers and pulsed growth, Lith. J. Phys. 55 (2016). doi:10.3952/physics.v55i4.3221.
M. V. Korjik, E. Auffray, O. Buganov, A.A. Fedorov, I. Emelianchik, E. Griesmayer, V. Mechinsky, S. Nargelas, O. Sidletskiy, G. Tamulaitis, S.N. Tikhomirov, A. Vaitkevicius, Non-Linear Optical Phenomena in Detecting Materials as a Possibility for Fast Timing in Detectors of Ionizing Radiation, IEEE Trans. Nucl. Sci. 63 (2016) 2979–2984. doi:10.1109/TNS.2016.2617461.
P. Onufrijevs, P. Ščajev, K. Jarašiūnas, A. Medvid, V. Korsaks, N. Mironova-Ulmane, M. Zubkins, H. Mimura, Photo-electrical and transport properties of hydrothermal ZnO, J. Appl. Phys. 119 (2016) 135705. doi:10.1063/1.4945016.
P. Ščajev, T. Malinauskas, G. Seniutinas, M.D. Arnold, A. Gentle, I. Aharonovich, G. Gervinskas, P. Michaux, J.S. Hartley, E.L.H. Mayes, P.R. Stoddart, S. Juodkazis, Light-induced reflectivity transients in black-Si nanoneedles, Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 144 (2016) 221–227. doi:10.1016/J.SOLMAT.2015.08.030.
E. Auffray, R. Augulis, A. Borisevich, V. Gulbinas, A. Fedorov, M. Korjik, M.T. Lucchini, V. Mechinsky, S. Nargelas, E. Songaila, G. Tamulaitis, A. Vaitkevičius, S. Zazubovich, Luminescence rise time in self-activated PbWO4 and Ce-doped Gd3Al2Ga3O12 scintillation crystals, J. Lumin. 178 (2016) 54–60. doi:10.1016/J.JLUMIN.2016.05.015.
A. Baguckis, A. Novickovas, A. Mekys, V. Tamošiunas, Compact hybrid solar simulator with the spectral match beyond class A, J. Photonics Energy. 6 (2016) 035501. doi:10.1117/1.JPE.6.035501.
J. Mickevičius, J. Jurkevičius, A. Kadys, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, Temperature-dependent efficiency droop in AlGaN epitaxial layers and quantum wells, AIP Adv. 6 (2016) 045212. doi:10.1063/1.4947574.
J. Jurkevičius, J. Mickevičius, A. Kadys, M. Kolenda, G. Tamulaitis, Photoluminescence efficiency of BGaN epitaxial layers with high boron content, Phys. B Condens. Matter. 492 (2016) 23–26. doi:10.1016/J.PHYSB.2016.03.033.
Ž. Podlipskas, R. Aleksiejūnas, S. Nargelas, J. Jurkevičius, J. Mickevičius, A. Kadys, G. Tamulaitis, M.S. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, Photomodification of carrier lifetime and diffusivity in AlGaN epitaxial layers, Curr. Appl. Phys. 16 (2016) 633–637. doi:10.1016/J.CAP.2016.03.010.
Ž. Podlipskas, R. Aleksiejūnas, A. Kadys, J. Mickevičius, J. Jurkevičius, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, Dependence of radiative and nonradiative recombination on carrier density and Al content in thick AlGaN epilayers, J. Phys. D. Appl. Phys. 49 (2016) 145110. doi:10.1088/0022-3727/49/14/145110.
2015
L. Subačius, K. Jarašiūnas, P. Ščajev, M. Kato, Development of a microwave photoconductance measurement technique for the study of carrier dynamics in highly-excited 4H-SiC, Meas. Sci. Technol. 26 (2015) 125014. doi:10.1088/0957-0233/26/12/125014.
P. Ščajev, J. Jurkevičius, J. Mickevičius, K. Jarašiūnas, H. Kato, Features of free carrier and exciton recombination, diffusion, and photoluminescence in undoped and phosphorus-doped diamond layers, Diam. Relat. Mater. 57 (2015) 9–16. doi:10.1016/J.DIAMOND.2015.02.003.
P. Ščajev, S. Miasojedovas, K. Jarašiunas, K. Hiramatsu, H. Miyake, B. Gil, Excitation-dependent carrier dynamics in Al-rich AlGaN layers and multiple quantum wells, Phys. Status Solidi. 252 (2015) 1043–1049. doi:10.1002/pssb.201451479.
A. Kadys, T. Malinauskas, T. Grinys, M. Dmukauskas, J. Mickevičius, J. Aleknavičius, R. Tomašiūnas, A. Selskis, R. Kondrotas, S. Stanionytė, H. Lugauer, M. Strassburg, Growth of InN and In-Rich InGaN Layers on GaN Templates by Pulsed Metalorganic Chemical Vapor Deposition, J. Electron. Mater. 44 (2015) 188–193. doi:10.1007/s11664-014-3494-6.
R. Aleksiejūnas, K. Nomeika, S. Miasojedovas, S. Nargelas, T. Malinauskas, K. Jarašiūnas, Ö. Tuna, M. Heuken, Carrier dynamics in blue and green emitting InGaN MQWs, Phys. Status Solidi. 252 (2015) 977–982. doi:10.1002/pssb.201451583.
A. Novickovas, A. Baguckis, A. Mekys, V. Tamosiunas, Compact Light-Emitting Diode-Based AAA Class Solar Simulator: Design and Application Peculiarities, IEEE J. Photovoltaics. 5 (2015) 1137–1142. doi:10.1109/JPHOTOV.2015.2430013.
E. Auffray, O. Buganov, M. Korjik, A. Fedorov, S. Nargelas, G. Tamulaitis, S. Tikhomirov, A. Vaitkevičius, Application of two-photon absorption in PWO scintillator for fast timing of interaction with ionizing radiation, Nucl. Instruments Methods Phys. Res. Sect. A Accel. Spectrometers, Detect. Assoc. Equip. 804 (2015) 194–200. doi:10.1016/J.NIMA.2015.09.017.
J. Mickevičius, Ž. Podlipskas, R. Aleksiejūnas, A. Kadys, J. Jurkevičius, G. Tamulaitis, M.S. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, Nonradiative Recombination, Carrier Localization, and Emission Efficiency of AlGaN Epilayers with Different Al Content, J. Electron. Mater. 44 (2015) 4706–4709. doi:10.1007/s11664-015-4132-7.
T. Saxena, S. Nargelas, J. Mickevičius, O. Kravcov, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, Spectral dependence of carrier lifetime in high aluminum content AlGaN epitaxial layers, J. Appl. Phys. 118 (2015) 085705. doi:10.1063/1.4929499.
M.V. Korjik, A. Vaitkevicius, D. Dobrovolskas, E.V. Tret’yak, E. Trusova, G. Tamulaitis, Distribution of luminescent centers in Ce3+-ion doped amorphous stoichiometric glass BaO–2SiO2 and dedicated glass ceramics, Opt. Mater. (Amst). 47 (2015) 129–134. doi:10.1016/J.OPTMAT.2015.07.014.
T. Saxena, M. Shur, S. Nargelas, Ž. Podlipskas, R. Aleksiejūnas, G. Tamulaitis, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, Dynamics of nonequilibrium carrier decay in AlGaN epitaxial layers with high aluminum content, Opt. Express. 23 (2015) 19646. doi:10.1364/OE.23.019646.
J. Mickevičius, J. Jurkevičius, A. Kadys, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, Low-temperature redistribution of non-thermalized carriers and its effect on efficiency droop in AlGaN epilayers, J. Phys. D. Appl. Phys. 48 (2015) 275105. doi:10.1088/0022-3727/48/27/275105.
J. Mickevičius, G. Tamulaitis, J. Jurkevičius, M.S. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, Efficiency droop and carrier transport in AlGaN epilayers and heterostructures, Phys. Status Solidi. 252 (2015) 961–964. doi:10.1002/pssb.201451542.
V. Kononets, O. Benamara, G. Patton, C. Dujardin, S. Gridin, A. Belsky, D. Dobrovolskas, A. Vaitkevičius, G. Tamulaitis, V. Baumer, K. Belikov, O. Sidletskiy, K. Lebbou, Growth of Ce-doped LGSO fiber-shaped crystals by the micro pulling down technique, J. Cryst. Growth. 412 (2015) 95–102. doi:10.1016/J.JCRYSGRO.2014.11.036.