Apie
FRT grupės veiklos kryptys
- rekombinacijos procesų tyrimai ir parametrų įvertinimas šiuolaikinėse elektronikos medžiagose bei prietaisuose;
- naujos matavimų technologijos;
- medžiagotyros bei jonizuojančiųjų spinduliuočių registravimo įrenginių projektavimas ir kūrimas;
- defektų inžinerijos technologijos ir elektronikos prietaisų gamybos radiacinės technologijos;
- defektų spektroskopija ir spektroskopijos metodų, pagrįstų fotoelektriniais reiškiniais, kūrimas;
- radiacijai atsparių medžiagų paieška ir radiacijos sensorių kūrimas;
- nuotolinių matavimų technologijos ir įranga jonizuojančioms spinduliuotėms detektuoti;
- rekombinacijos ir krūvio pernašos procesų modeliavimas;
- prietaisų darinių modeliavimas;
- defektų ir jų energetinio spektro modeliavimas.
Tiriamos medžiagos ir dariniai
- įvairių technologijų puslaidininkiai: Si, Ge, Si-Ge, GaAs, CdSe, CdS, ZnSe, GaN, deimantas, ir kt;
- organinės ir polimerinės medžiagos: alaninas, PEN ir kt.;
- prietaisų ir detektorių dariniai: saulės elementai, šviestukai, galios PIN diodai ir tiristoriai, CERN dalelių detektoriai
Tyrimų metodai ir įranga
- mikrobangų sugerties ir atspindžio kinetikų metodai (MW-PC);
- infraraudonosios sugerties relaksacijos kinetikų metodai (IR-PC);
- talpinė ir srovės giliųjų lygmenų spektroskopija (DLTS);
- elektronų sukinių spektroskopija (EPR);
- vibracinių modų infraraudonoji spektroskopija (IRS);
- harmoninė ir impulsinė talpos spektroskopija (LRC/BELIV);
- fotojonizacijos impulsinė spektroskopija (PPIS);
- foto- ir protonais indukuotos liuminescencijos kinetikų ir spektro tyrimo metodai (PL,TR-PL).
-
injektuoto krūvio dreifo kinetikų spinduliuočių sensoriuose profiliavimo metodai (TCT).
Matavimų technologijos
- radiacinių defektų evoliucijos in situ analizės technologija;
- defektų pasiskirstymo planarinės ir skersinės žvalgos technologija;
- impulsinė šiluminės, fotojonizacinės ir talpinės spektroskopijos technologija;
- injektuoto krūvio dreifo kinetikų profiliavimo technologija;
- liuminescencijos ir fotolaidumo evoliucijos apšvitinant įvairiomis aukštųjų energijų spinduliuotėmis in situ analizės technologija.
Tyrėjai
|
Dr. Tomas Čeponis Vyresnysis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B229 Tel.: +370 5 2234486 |
Prof. Eugenijus Gaubas
Saulėtekio al. 3, kab. A202 Tel.: +370 5 2234468 |
Prof. Juozas V. Vaitkus Profesorius emeritas Saulėtekio al. 3, kab. B233
|
 Dr. Jevgenij Pavlov Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B204 Tel.: +370 5 2234487 |
 Dr. Vytautas Rumbauskas Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B204 Tel.: +370 5 2234487 |
Dr. Algirdas Mekys Vyresnysis mokslo darbuotojas
|
 Dr. Laimonas Deveikis Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B204 Tel.: +370 5 2234487 |
Laboratorijos
EPR ir Optinės mikroskopijos laboratorija B206
Įranga:
EPR dozimetrijos skeneris BRUKER-E-SCAN:
-
Dozimetrija alanine dozimetrais 1Gy -200 kGy
Prototipinis įrenginys apšvitos dozių plačiame intervale kontrolei VUTEG-8:
- Įrenginys skirtas mažų ir itin didelių įtėkių matavimui bei aukštųjų energijų spinduliuotės spektro nustatymui pasitelkiant optinių ir elektrinių signalų tripleksiniame sensoriuje sinchroninį matavimą ir analizę.
3D spausdintuvas Creality Ender-5 Plus:
- FDM spausdinimo technologija;
- spausdinimo formatas 350 x 350 x 400mm.
3D spausdintuvas Creality LD-006:
- LCD dervos spausdinimo technologija;
- spausdinimo formatas - 192 x 120 x 250 mm.
Defektų puslaidininkiuose mikrobangės spektroskopijos laboratorija B207
Radiacinių defektų evoliucijos in situ tyrimų įrenginys VUTEG-3:
-
apšvitų hadronais įtėkio matavimams 1010-1016 cm-2 intervale;
-
radiacinių defektų evoliucijos tyrimams;
-
gali būti komplektuojams su vakuumine apšvitų kamera;
-
spalatoriaus neutronų dozimetrijai.
Skeneris VUTEG-04-CERN:
-
krūvininkų gyvavimo trukmės Si planarinis pasiskirstymas 120x120 mm2 plote;
-
krūvininkų gyvavimo trukmės Si plokštelių storyje pasiskirstymas 2 µm tikslumu;
-
4°– 25° C stabilizuotos temperatūros intervale;
-
krūvininkų prilipimo sando analizė keičiant cw IR pašvietimo intensyvumą;
-
radiacinių defektų pasiskirtymo vaizdinimas.
Dozimetras VUTEG-5-AIDA, įdiegtas ir instaliuotas CERN
-
apšvitų hadronais įtėkio matavimams 1010-1016 cm-2 intervale;
-
radiacinių defektų evoliucijos tyrimams;
-
krūvininkų prilipimo sando analizė keičiant cw IR pašvietimo intensyvumą;
-
dozės pasiskirstymo Si zonduose tyrimams.
Impulsinis šiluminės ir foto-jonizacinės spektroskopijos įrenginys VUTEG-6:
-
nesąlytinei prilipimo centrų spektroskopijai;
-
radiacinių defektų evoliucijos tyrimams;
-
krūvininkų prilipimo sando analizė keičiant cw IR pašvietimo intensyvumą bei temperatūrą 80-300°C intervale.
Įrenginys didelių energijų elektromagnetinės ir dalelių spinduliuočių dozes ir srauto matavimui VUTEG-7:
- Įrenginys skirtas didelių energijų elektromagnetinės ir dalelių spinduliuočių dozės ir srauto matavimui pasitelkiant optinių ir elektrinių signalų sensoriuje sinchroninį matavimą ir analizę.
Infraraudonosios spektroskopijos laboratorija B208
Injektuoto krūvio dreifo kinetikų profiliavimo stendas
-
injektuoto krūvio relaksacijos sandų analizei;
-
dreifo srovių ir trukmių matavimams;
-
paviršiaus skenavimo režime;
-
briaunos skenavimo režime;
-
diskretiškai keičiami sužadinimo bangos ilgiai 1062 –354 nm diapazone;
-
spinduliuočių sensorių laikinės skyros matavimai;
-
spinduliuočių sensorių krūvio surinkimo efektyvumo matavimai.
Laike išskirtosios liuminescencijos ir mikrobangomis zonduojamo fotolaidumo kinetikų sinchroninio skenavimo stendas
Fotojonizacijos spektroskopijos tyrimų stendas:
- monochromatorius MDR4 su fotometrine lempa (0.5 – 2.35 eV);
- SMU Keithley 2635B;
- skysto azoto kriostatas.
Įranga prietaisų ir detektorių darinių elektrinių charakteristikų matavimui (Summit 11000 zondų stotis, Keithley, Keysight SMU ir LRC matuokliai):
- Summit 11000 zondų stotis (jungtys, kabeliai signalų perdavimui bei tiriamo bandinio laikiklis yra triaksialinio tipo, Ubr≥ 500 V, IL≤ 1 fA, Cres ≤ 0.4 pF).
- Keysight B2912B SMU (10 fA, 210 V, 3 A DC/10.5 A impulsiniame režime).
- Keysight E4980A LRC matuoklis (f= 20 Hz - 2 MHz,Uac = 0 - 2.0 Vrms, UDC = 0-40 V).
- N1260A aukštos įtampos tiltelis (UDC ≤ 3 kV, f = 10 kHz – 1 MHz).
Optinis stendas spektroskopijai bei sparčių (šimtų femtosekundžių eilės) procesų tyrimams:
- Šviesos Konversija Pharos lazeris (10W@10kHz, 200 fs, 1030 nm);
- optinis parametrinis stiprintuvas (OPA) ir skirtuminių dažnių generatorius (DFG) Orpheus (210 nm – 16 mm) ;
- impulsinės fotojonizacijos spektroskopijos stendas;
- optinio žadinimo-zondavimo tyrimų stendas;
- Avantes AvaSpec-ULS2048XL-EVO StarLine spektrometras;
- skysto azoto kriostatas (78–800 K);
Giliųjų lygmenų spektroskopijos laboratorija B210
Impulsinis talpos kinetikų (BELIV) profiliavimo stendas:
-
sandūrų barjero parametrų temperatūrinių ir spektrinių kitimų Si,Ge, GaAs, GaN, Cu-CdS ir foto-elektros puslaidininkiniuose prietaisuose;
-
BELIV kinetikų žvalga darinių briaunoje;
-
diskretiškai keičiami sužadinimo bangos ilgiai 1062 –354 nm diapazone;
-
90-350 K temperatūrų intervalas.
Giliųjų lygmenų spektrometras HERA- DLTS System FT 1030:
-
C-I-O-DLTS spektrų registravimas;
-
10-400 K temperatūrų intervalas
-
1062 ir 351 nm impulsiniai lazeriai;
-
įvairūs spektrų registravimo/analizės režimai.
Projektai
Vykdomi:
Silicio sensorių su vidiniu stiprinimu elektrinių charakteristikų tyrimas po apšvitų skvarbiaisiais protonais
LMT finansuojamas „Studentų tyrimai semestrų metu“ projektas
Numeris: S-ST-23-81
Vadovas: L. Deveikis
Studentė: M. Biveinytė
Trukmė: 2023-11-05 – 2024-04-30
Įvykdyti:
Jonizuojančiosios spinduliuotės nesąlytinio ir nuotolinio detektavimo technologijų centras
Numeris: 01.2.2-CPVA-K-703-02-0002
Vadovas: E. Gaubas
Trukmė: 2018 - 2021
Finansavimas: 982 900 €
Agentūra: CPVA
Plataus spektro dozimetrijos prototipinės sistemos kūrimas įvairios paskirties radiaciniam monitoringui
Numeris: LMT 01.2.2-LMT-K-718-01-13
Vadovas: E. Gaubas
Trukmė: 2017 - 2021
Finansavimas: 573 633 €
Agentūra: LMT
Jonizuojančių spinduliuočių erdvinės ir spektrinės skyros MOCVD GaN sensorių formavimo technologijos kūrimas
Numeris: LAT 01/2016
Vadovas: E. Gaubas
Trukmė: 2016 - 2018
Finansavimas: 299 722 €
Agentūra: LMT
Advanced European Infrastructures for Detectors at Accelerators
Numeris: H2020 WP15 654168
Vadovas: J. Vaitkus
Trukmė: 2015 - 2018
Finansavimas: 40 000 €
Agentūra: EUC
Medžiagotyros, nano- ir šviesos technologijų bei aukštojo mokslo studijų šiose proveržio kryptyse infrastruktūros kūrimas (LAMETECH INFRASTRUKTŪRA)
Numeris: VP2-1.1-ŠMM-04-V-02-002
Vadovas: potemės atsakingasis vykdytojas E. Gaubas
Trukmė: 2014 - 2015
Finansavimas: 250 000 €
Agentūra: LMT
Radiaciniai nanoklasteriai Si ir GaN
Numeris: VP1-3.1-ŠMM-07-K-03-010
Vadovas: J. Vaitkus
Trukmė: 2013 - 2015
Finansavimas: 979 000 Lt
Agentūra: LMT
Radiacinių defektų deimanto ir GaN medžiagose in situ ir ex situ evoliucija
Numeris: MIP060/2013
Vadovas: E. Gaubas
Trukmė: 2013 - 2015
Finansavimas: 313 700 Lt
Agentūra: LMT
Advanced European Infrastructures for Detectors at Accelerators
Numeris: FP7-AIDA 262025 WP8.3
Vadovas: atsakingasis vykdytojas E. Gaubas
Trukmė: 2011 - 2014
Finansavimas: 42 000 €
Agentūra: EUC
Publikacijos
2023
T. Čeponis, J. Pavlov, A. Kadys, A. Vaitkevičius, and E. Gaubas, “Luminescence Characteristics of the MOCVD GaN Structures with Chemically Etched Surfaces”, Materials, Vol. 16, p. 3424, 2023
T. Čeponis, M. Burkanas, A. Cicinas, L. Deveikis, J. Pavlov, V. Rumbauskas, J. Venius, E. Gaubas, “Combined techniques for recovery of radiation damaged detectors”, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 168, p. 107863, 2023
2022
J. Pavlov, T. Čeponis, K. Pūkas, L. Makarenko, and E. Gaubas, “5.5 MeV electron irradiation-induced transformation of minority carrier traps in p-type Si and Si1-xGex alloys, Materials, Vol. 15, p1861 (1-14), 2022
J. Kettle, M. Aghaei, Sh. Ahmad, A. Fairbrother, S. Irvine, J.J. Jacobsson, S. Kazim, V. Kažukauskas, D. Lamb, K. Lobato, G.A. Mousdis, G. Oreski, A. Reinders, J. Schmitz, P. Yilmaz, M.J. Theelen, “Review of technology specific degradation in crystalline silicon, cadmium telluride, copper indium gallium selenide, dye sensitised, organic and perovskite solar cells in photovoltaic modules: Understanding how reliability improvements in mature technologies can enhance emerging technologies”, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, p. 1 (1-28), 2022
J.V Vaitkus, M. Moll, V. Kažukauskas, and V. Vertelis, “Increase of the photoconductivity quantum yield in silicon irradiated by neutrons to extremely high fluences”, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 55, p. 395104 (1-8), 2022
2021
V. Kažukauskas, V. Janonis , V. Vertelis, „Energy band-gap inhomogeneities and defect states affecting carrier transport at low temperatures in Thallium Bromide“, Optical Materials Vol. 118, p. 111259 (1-8), 2021
L. Deveikis, J.V. Vaitkus, T. Čeponis, M. Gaspariūnas, V. Kovalevskij, V. Rumbauskas, E. Gaubas, „Profiling of proton beams by fluence scanners“, Lithuanian Journal of Physics Vol. 61, No. 2, p. 75-83, 2021
E. Gaubas, T. Čeponis, L. Deveikis, J. Pavlov, V. Rumbauskas, Patent: „HYBRID MULTI-LAYER SENSOR AND METHOD FOR LARGE FLUENCE DOSIMETRY AND FLUXIMETRY“, application No.: 21 165 145.0, submission data: 2021 03 26.
2020
E. Gaubas, T. Čeponis, L. Deveikis, V. Kalesinskas, G. Kreiza, T. Malinauskas, J. Pavlov, V. Rumbauskas, A. Mychko, V. Ivanov, “Study of the electrical characteristics of CdZnTe Schottky diodes”, Materials Science in Semiconductor Processing Vol. 105, p. 104705 (1-11), 2020.
J. Pavlov, T. Čeponis, L. Deveikis, V. Rumbauskas, G. Tamulaitis, E. Gaubas, “Modification of characteristics of AlGaN photodiodes by 1.6 MeV proton irradiation”, Journal of Instrumentation, Vol. 15, p. C01026 (1-9), 2020.
T. Heikkinen, J. Pavlov, T. Čeponis, E. Gaubas, M. Zając, F. Tuomisto, “Effect of Mn and Mg dopants on vacancy defect formation in ammonothermal GaN”, Journal of Crystal Growth, Vol. 547, p. 125803 (1-5), 2020.
2019
E. Gaubas, P. Baronas, T. Čeponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, E. Kuokstis, J. Mickevičius, V. Rumbauskas, M. Bockowski, M. Iwinska, T. Sochacki, Study of spectral and recombination characteristics of HVPE GaN grown on ammono substrates, Mat. Sc. Semicond. Process. 91 (2019) 341–355.
E. Gaubas, T. Čeponis, D. Meškauskaite, J. Mickevičius, J. Pavlov, V. Rumbauskas, R. Grigonis, M. Zajac, R. Kucharski, Pulsed photo-ionization spectroscopy of traps in as-grown and neutron irradiated ammonothermally synthesized GaN, Scientific Reports 9 (2019) 1473.
E. Gaubas, T. Čeponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, V. Rumbauskas, M. Viliūnas, Room-temperature infrared photoluminescence in GaN doped with various impurities, Optical Materials 94 (2019) 266–271.
T. Ceponis, K. Badokas, L. Deveikis, J. Pavlov, V. Rumbauskas, V. Kovalevskij, S. Stanionyte, G. Tamulaitis, E. Gaubas, Evolution of scintillation and electrical characteristics of AlGaN double-response sensors during proton irradiation, Sensors 19 (2019) 3388. doi:10.3390/s19153388
E. Gaubas, T. Ceponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, V. Kalesinskas, J. Pavlov, V. Rumbauskas, and A. Mychko, Spectroscopy of defects in CdZnTe structures, Semicond. Sci. Technol. 34 (2019) 115012
L.F. Makarenko, S.B. Lastovski, H.S. Yakushevich, E. Gaubas, J. Pavlov, V.V. Kozlovski, M. Moll, I. Pintilie, Formation of a bistable interstitial complex in irradiated p-type silicon, Phys. Status Solidi A-Appl. Mat. 216 (2019) 1900354.
D. Dobrovolskas, G. Tamulaitis, E. Gaubas, M. Korjik, GAGG:Ce scintillation fibers for high energy physics applications, J. Instrum. 14 (2019) P06031.
E. Gaubas, T. Ceponis, L. Deveikis, V. Kalesinskas, G. Kreiza, T. Malinauskas, J. Pavlov, V. Rumbauskas, A. Mychko, V. Ivanov, Study of the electrical characteristics of CdZnTe Schottky diodes, Mat. Sc. Semicond. Process. 105 (2020) 104705.
J. Pavlov, T. Ceponis, T. Heikkinen, V. Rumbauskas, L. Deveikis, J. Raisanen, G. Tamulaitis, F. Tuomisto, E. Gaubas, Spectroscopy of defects in neutron irradiated ammono-thermal GaN by combining photo-ionization, photoluminescence and positron annihilation techniques, Lith. Journ. Phys., 59, (2019). 179–191.
J. Pavlov, T. Ceponis, L. Deveikis, V. Rumbauskas, G. Tamulaitis, and E. Gaubas, Modification of characteristics of AlGaN photodiodes by 1.6 MeV proton irradiation, JINST, 074P (2019) 1019.
V. Kazukauskas, G.L.Myronchuk,.; O.V.Parasyuk, et al. Photoconductivity of Tl1-xIn1-xSnxSe2 single crystals at low temperatures, Proceedings of the romanian academy series a-mathematics physics technical sciences information science, 20 (2019) 243 -249.
2018
E.Gaubas, T.Ceponis, L.Deveikis, D.Meskauskaite, J.Pavlov, V.Rumbauskas, J.Vaitkus, M.Moll, F.Ravotti, “Anneal induced transformations of defects in hadron irradiated Si wafers and Schottky diodes”, Materials Science in Semiconductor Processing 75, 157–165 (2018).
E. Gaubas, T. Ceponis, J. Mickevicius, J. Pavlov, V. Rumbauskas, M. Velicka, E. Simoen, and M. Zhao, “Pulsed photo-ionization spectroscopy in carbon doped MOCVD GaN epi-layers on Si”, Semicond. Sci. Technol. 33, 075015 (2018).
E. Gaubas, T. Čeponis, D. Dobrovolskas, J. Mickevičius J. Pavlov, V. Rumbauskas, J.V. Vaitkus, N. Alimov, and S. Otajonov, “Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy”, Thin Solid Films 660, 231–235 (2018).
2017
E. Gaubas, T. Ceponis, L. Deveikis, D. Meskauskaite, S. Miasojedovas, J. Mickevicius, J. Pavlov, K. Pukas, J. Vaitkus, M. Velicka, M. Zajac, and R. Kucharski, “Study of neutron irradiated structures of ammonothermal GaN”, J. Phys. D: Appl. Phys. 50, 135102 (2017).
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskas, J. Pavlov, A. Zukauskas, V. Kovalevskij,V. Remeikis, “In situ characterization of radiation sensors based on GaN LED structure by pulsed capacitance technique and luminescence spectroscopy”, Sens. & Act. A 267, 194–199 (2017).
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Dobrovolskas, T. Malinauskas,D. Meskauskaite, S. Miasojedovas, J. Mickevicius, J. Pavlov,V. Rumbauskas, E. Simoen, and M. Zhao, “Study of recombination characteristics in MOCVD grown GaN epi-layers on Si”, Semicond. Sci. Technol. 32, 125014 (2017).
2016
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, R. Grigonis, and V. Sirutkaitis, “Spectroscopy of defects in HPHT and CVD diamond by ESR and pulsed photo-ionization measurements”, J. Instrum. 11, C01017 (2016).
E. Gaubas, T. Ceponis, J.V. Vaitkus, V. Fadeyev, S. Ely, Z. Galloway, H.F.-W. Sadrozinski, M. Christophersen, B.F. Phlips, I. Gorelov, M. Hoeferkamp, J. Metcalfe, and S. Seidel, “Study of surface recombination on cleaved and passivated edges of Si detectors”, Semicond. Sci. Technol. 31, 035003 (2016).
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, and E. Simoen, “Comparative study of current transients in HPHT and CVD diamond capacitor-sensors”, ECS J. Solid State Sci. Technol. 5 (2016).
E. Gaubas, E. Simoen, and J. Vanhellemont, “Review-Carrier lifetime spectroscopy for defect characterisation in semiconductor materials and devices”, ECS J. Solid State Sci. Technol. 5, P3108-P3137 (2016).
E. Gaubas, T. Ceponis, E. Kuokstis, D. Meskauskaite, J. Pavlov, and I. Reklaitis, “Study of charge carrier transport in GaN sensors”, Materials 9, 293 (2016).
V. Rumbauskas, D. Meskauskaite, T. Ceponis, E. Gaubas, “Anneal induced transforms of radiation defects in heavily electron irradiated Si diodes”, J. Instrum. 11, P09004 (2016).
2015
E.Gaubas, T. Ceponis, and J. Pavlov, “Pulsed current signals in capacitor type particle detectors”, JINST 10, C01006 (2015).
E. Gaubas, T.Ceponis, V.Kalesinskas, J.Pavlov, J.Vysniauskas, “Simulations of operation dynamics of different type GaN particle sensors”, Sensors 15(3), 5429- 5473 (2015).
E. Gaubas, T.Ceponis, D.Meskauskaite, N.Kazuchits, “Profiling of current transients in capacitor type diamond sensors”, Sensors 15(6), 13424-13458 (2015).